Täysin puskuroitu DIMM (Dual In-Line Memory Module) on Random Access Memory (RAM) -siru, joka sisältää edistyneen muistipuskurin piirisarjassa. Edistynyt muistipuskuri toimii välittäjänä varsinaisten muistimoduulien ja muistiohjaimen välillä. Tämä mahdollistaa sirun käytettävissä olevan muistin lisäämisen lisäämättä moduulin nastojen määrää. DIMM -moduulien haittoja ovat latenssin käyttöönotto ja piirisarjan tehonkulutuksen lisääminen.
Täyspuskuroidussa DIMM -muistimoduulissa edistynyt muistipuskuri sijaitsee aivan muistimoduulien ja muistiohjaimen välissä. Kaikkien muistimoduuleihin siirtyvien ja niistä poistuvien tietojen on ensin kuljettava edistyneen muistipuskurilaitteen läpi. Toisin kuin puskuroimattomat DIMM -muistimoduulit, joissa muistiohjain on suoraan yhteydessä muistimoduuliin, täysin puskuroidun DIMM -moduulin tiedot on “tulkittava” edistyneen muistipuskurin avulla.
Täyspuskuroidun DIMM -moduulin käyttö tarjoaa kaksi ensisijaista etua. Ensimmäinen on se, että muistin puskuriyksikkö voi palauttaa signaalin kompensoimalla huononemista sen kulkiessa tietokoneväyläarkkitehtuurin läpi. Toinen on se, että edistynyt muistipuskuri voi suorittaa ennakoivan virheentarkistuksen RAM-sirulle saapuville ja sieltä tuleville tiedoille. Se toimii kuin pienikokoinen aivotyyppi, joka voi kertoa, onko läpi kulkeva data vioittunut missä tahansa prosessin vaiheessa.
Täyspuskuroidun DIMM -moduulin käytöllä on kuitenkin myös haittoja. Ensimmäinen näistä on se, että kehittynyt muistipuskuri vaatii lisävirtaa RAM -sirulle. Tämä tarkoittaa, että RAM -liitäntä on asetettava korkeammalle jännitetasolle. Lisääntynyt teho tuottaa ylimääräistä lämpöä, mikä voi lyhentää RAM -sirujen – ja muiden järjestelmän osien – käyttöikää huonosti tuuletetuissa olosuhteissa. Tämän riskin minimoimiseksi on käytettävä lisäjäähdytystä; tähän voi sisältyä muita kotelon poistoilmapuhaltimia tai muun tyyppistä jäähdytysratkaisua RAM -sirujen ilmavirran parantamiseksi.
DIMM -moduulien viimeinen haittapuoli on se, että kehittyneeseen muistipuskuriin turvautuminen tuo latenssin käsitteen RAM -toimintoihin. Ilman puskuria RAM-toiminnot tapahtuvat pääasiassa reaaliajassa, ja niitä rajoittavat vain suorittimen nopeus, suorittimen ja muistin välinen etupuolen väylä ja itse RAM-sirujen nopeus. Kuitenkin, kun data on kanavoitu edistyneen muistipuskurin kautta, tietojen vastaanottamisen ja käsittelyn välillä on viive. Ainoa mahdollinen korvaus tästä on nopeampien muistimoduulien käyttäminen luontaisen viiveen poistamiseksi.